CMOS射频集成电路设计

1 (p1): 第1章 无线电发展历史的间断回顾
1 (p2): 1.1 引言
1 (p3): 1.2 麦克斯韦和赫兹
2 (p4): 1.3 真空管发明前的电子学
6 (p5): 1.4 真空管的诞生
9 (p6): 1.5 Armstrong和再生放大器／检波器／振荡器
11 (p7): 1.6 其他无线电电路
13 (p8): 1.7 Armstrong和超再生电路
14 (p9): 1.8 Oleg Losev及第一个固态电路放大器
15 (p10): 1.9 结束语
16 (p11): 1.10 附录A：真空管基础
24 (p12): 1.11 附录B：究竟是谁发明了无线电
31 (p13): 第2章 无线通信原理概述
31 (p14): 2.1 无线系统的片段简史
40 (p15): 2.2 非蜂窝无线通信的应用
43 (p16): 2.3 香农定理、调制及其他
59 (p17): 2.4 传播
64 (p18): 2.5 结论
64 (p19): 2.6 附录：其他无线系统的特性
67 (p20): 第3章 无源RLC网络
67 (p21): 3.1 引言
67 (p22): 3.2 并联RLC谐振回路
70 (p23): 3.3 串联RLC网络
71 (p24): 3.4 其他RLC谐振网络
72 (p25): 3.5 作为阻抗变换器的RLC网络
80 (p26): 3.6 实例
88 (p27): 第4章 无源集成电路元件的特性
88 (p28): 4.1 引言
88 (p29): 4.2 射频情况下的互连线：趋肤效应
92 (p30): 4.3 电阻
94 (p31): 4.4 电容
104 (p32): 4.5 电感
114 (p33): 4.6 变压器
121 (p34): 4.7 高频时的互连选择
123 (p35): 4.8 小结
124 (p36): 4.9 附录：电容方程总结
128 (p37): 第5章 MOS器件物理回顾
128 (p38): 5.1 引言
128 (p39): 5.2 简短历史
129 (p40): 5.3 场效应管：一个小故事
129 (p41): 5.4 MOSFET物理：长沟道近似
137 (p42): 5.5 弱反型区（亚阈值区）的工作情况
140 (p43): 5.6 短沟情况下的MOS器件物理
143 (p44): 5.7 其他效应
145 (p45): 5.8 小结
145 (p46): 5.9 附录A：0.5μm Level-3的SPICE模型
146 (p47): 5.10 附录B：Level-3 SPICE模型
150 (p48): 5.11 附录C：Level-1 MOS模型
151 (p49): 5.12 附录D：一些非常粗略的尺寸缩小规律
155 (p50): 第6章 分布参数系统
155 (p51): 6.1 引言
157 (p52): 6.2 集总和分布参数范畴之间的联系
157 (p53): 6.3 重复结构的策动点阻抗
158 (p54): 6.4 关于传输线的更详细讨论
163 (p55): 6.5 有限长度传输线的特性
165 (p56): 6.6 传输线公式小结
165 (p57): 6.7 人工传输线
168 (p58): 6.8 小结
170 (p59): 第7章 史密斯圆图和S参数
170 (p60): 7.1 引言
170 (p61): 7.2 史密斯圆图
173 (p62): 7.3 S参数
175 (p63): 7.4 附录A：关于单位的一些说明
176 (p64): 7.5 附录B：为什么采用50Ω（或75Ω）
180 (p65): 第8章 频带宽度估算方法
180 (p66): 8.1 引言
180 (p67): 8.2 开路时间常数方法
197 (p68): 8.3 短路时间常数方法
200 (p69): 8.4 补充读物
201 (p70): 8.5 上升时间、延时及带宽
206 (p71): 8.6 小结
209 (p72): 第9章 高频放大器设计
209 (p73): 9.1 引言
209 (p74): 9.2 利用零点增大带宽
218 (p75): 9.3 并联-串联放大器
223 (p76): 9.4 采用fT倍频器增大带宽
224 (p77): 9.5 调谐放大器
227 (p78): 9.6 中和与单向化
230 (p79): 9.7 级联放大器
236 (p80): 9.8 调幅-调相（AM-PM）的转换
237 (p81): 9.9 小结
242 (p82): 第10章 基准电压和偏置电路
242 (p83): 10.1 引言
242 (p84): 10.2 二极管特性回顾
243 (p85):…