Suche nach Büchern
Bücher
Spenden
Einloggen
Einloggen
für autorisierte Benutzer stellen folgendes zur Verfügung:
Persönliche Empfehlungen
Telegram-Bot
Downloadverlauf
an E-Mail-Adresse oder Kindle senden
Bücherlisten verwalten
in Favoriten speichern
Persönlich
Suchanfrage nach dem Buch
Erkunden
Z-Recommend
Bücherlisten
Meistgefragt
Kategorien
Teilnahme
Spenden
Hochladen
Litera Library
Papierbücher spenden
Papierbücher hinzufügen
Search paper books
Mein LITERA Point
Suche nach den Begriffen
Main
Suche nach den Begriffen
search
1
Фотоэлектрические свойства наноструктур GeSi/Si
Филатов Д.О.
,
Исаков М.А.
,
Круглова М.В.
gesi
островков
рис
роста
phys
наноостровков
методом
области
слоя
носителей
основе
поверхности
наноостровками
состояний
спектра
энергии
островках
фпэ
дырок
млэ
appl
гетероструктур
структур
электронов
подложки
dge
geh4
островки
типа
плотность
спектров
структуры
связи
островками
шоттки
зависимость
поглощения
процессе
gexsi1
проводимости
барьера
гфэ
зависимости
переходов
спектры
дислокаций
зоне
оптических
островка
слое
Sprache:
russian
Datei:
PDF, 3.79 MB
Ihre Tags:
0
/
0
russian
2
Инсулин и радиация
Издательский дом "Белорусская наука"
Гацко Г.Г.
,
Милевич Т.И.
облучения
инсулина
крыс
мес
крови
животных
железы
поджелудочной
глюкозы
дозе
облученных
клеток
сут
содержание
организма
введения
гормона
стрептозотоцина
воздействия
инсулин
облучение
уровня
интактные
изменения
островков
стрептозотоцин
облученные
сроки
сутки
ммоль
функции
лучевой
островках
уровень
влияние
диабета
печени
эффект
контроль
ткани
концентрации
концентрация
лучевого
организме
состояние
действия
радиации
снижение
активности
секреции
Jahr:
2014
Sprache:
russian
Datei:
PDF, 1.20 MB
Ihre Tags:
0
/
0
russian, 2014
3
Рост Ge(Si) самоформирующихся наноотростков на подложках Si(001) методом молекулярно пучковой эпитаксии
Лобанов Д.Н.
,
Новиков А.В.
,
Шалеев М.В.
роста
островков
поверхности
напряжений
упругих
пленки
энергии
происходит
рис
подложки
счет
островка
приводит
температуры
поверхностной
материала
островки
камеры
релаксация
релаксации
димеров
крастанова
механизму
странского
температурах
увеличение
образование
осаждения
системы
слоя
уменьшению
носителей
образования
параметров
пленке
результате
gexsi1
зависимости
заряда
самоформирующихся
структур
типа
увеличением
уменьшение
gesi
атомов
дивакансий
количества
островках
плотности
Sprache:
russian
Datei:
PDF, 421 KB
Ihre Tags:
0
/
0
russian
1
Folgen Sie
diesem Link
oder finden Sie einen Bot "@BotFather" in Telegram
2
Senden Sie Befehl /newbot
3
Geben Sie den Namen für Ihren Bot an
4
Geben Sie den Benutzername für den Bot
5
Kopieren Sie die letzte Meldung von BotFather und fügen Sie hier ein
×
×